2025/09/23
 資策會 MIC 副分析師 古康權 隨著人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）與資料中心迅速發展，對記憶體頻寬與能效的需求大幅提升，讓傳統DRAM已難以滿足HPC需求。高頻寬記憶體（HBM）擁有大幅提升頻寬並降低功耗等特系，因此成為市場關注的焦點，成為AI與HPC晶片市場的重要組成。 全球首款HBM是SK Hynix與AMD在 2013年合作開發，目前HBM市場由SK Hynix、Samsung等兩大韓系記憶體巨頭主導，美系業者Micron正在努力追趕並積極尋求突破。隨著技術從HBM2/2E發展到HBM3、HBM3E以及未來的HBM4，記憶體大廠的競爭正進入白熱化階段。 SK Hynix在HBM3E領先對手，並已經開始出貨供應NVIDIA AI晶片；緊隨其後的Micron也打進NVIDIA AI晶片供應鏈。另一方面，三星的HBM3已於7月通過NVIDIA的驗證，但其HBM3E尚在努力通過NVIDIA資格認證。而下一世代HBM4競爭的主導權，主要仍是落在Samsung、SK Hynix和Micron等三大廠競爭之中。
三大HBM業者產品推出時程 SK Hynix憑藉率先量產HBM3技術優勢，在 2023至2024年初期的高頻寬記憶體市場中保持領先地位，其產能明顯高於競爭對手。作為HBM領域的先行者，SK Hynix不僅在技術研發和製造穩定性方面處於前沿，也在客戶市場中建立了強大的信任基礎，進一步鞏固了其市場主導地位。 然而Samsung並未放鬆對HBM市場的追逐，已在HBM3和HBM3E等技術領域投入大量資源，試圖縮小與SK Hynix的差距。Samsung近期一系列積極舉措，包括強化技術開發、擴大產能以及積極爭取新訂單，顯示出其在這一市場中的進攻性策略。這些努力不僅有望提升其產品競爭力，還將為其在未來市場中的佔有率提升奠定基礎。到2026年，Samsung產能將以更快的速度增長，對SK Hynix形成更大競爭壓力。 過去，HBM邏輯控制晶粒（Logic Die）亦由記憶體廠自行生產，但隨著客製化需求增加，這種模式的效率受到挑戰。客製化HBM的關鍵在於將邏輯控制晶粒委外生產，使其能更靈活地整合客戶的IP，進而提升整體系統的效率。此外，台積電等晶圓代工業者在先進製程上的良率優勢，也是記憶體大廠尋求合作的重要原因。 SK Hynix已與台積電簽署合作備忘錄，共同研發HBM4，並將採用台積電先進邏輯製程來製造邏輯控制晶粒。HBM4預計於2026年量產，並導入至輝達最新的Rubin GPU；三星也表達了與晶圓代工廠合作的意願，顯示亦有可能與台積電展開合作。 其中SK Hynix表示，客製化HBM的核心晶片與標準HBM相同，差異在於邏輯控制晶粒，客製化版本將加入客戶IP以提高晶片效率。Samsung也指出HBM4邏輯控制晶粒已交由晶圓代工廠負責，記憶體製造商和晶圓代工業者與客戶的合作關係將更加緊密。這顯示了HBM4時代，記憶體廠、晶圓代工廠和客戶之間的合作模式，對於HBM供應鏈產生重大變化。
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HBM新的供應鏈模式 儘管台灣在HBM領域直接參與有限，但隨著HBM需求增長，台灣在先進封裝技術方面具備優勢，特別是在晶圓代工和封裝測試領域。隨著HBM技術發展，對先進封裝需求增加，台灣廠商或可在尋求更多的合作與發展機會。 全文出處：資策會產業情報研究所 (MIC) |
